电阻电容的问题,.帮菜鸟的忙.电阻电容.我们友跟我说的4份之1瓦是什么意思.是电容还是电阻的单位.偏差是M或K.这又是什么东西.这些都有在型号上体现出来吗.举一两个型号来看下吧.满意再

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/03 19:37:31

电阻电容的问题,.帮菜鸟的忙.电阻电容.我们友跟我说的4份之1瓦是什么意思.是电容还是电阻的单位.偏差是M或K.这又是什么东西.这些都有在型号上体现出来吗.举一两个型号来看下吧.满意再
电阻电容的问题,.帮菜鸟的忙.
电阻电容.
我们友跟我说的4份之1瓦是什么意思.是电容还是电阻的单位.
偏差是M或K.这又是什么东西.
这些都有在型号上体现出来吗.举一两个型号来看下吧.
满意再加100分.
通过你知道是电阻的单位了，呵呵。
能举个型号分析下吗，0603N470K251LG与这个WF06M625KTL
都是华科产品。他们型号中的字母与数字都代表什么意思。

电阻电容的问题,.帮菜鸟的忙.电阻电容.我们友跟我说的4份之1瓦是什么意思.是电容还是电阻的单位.偏差是M或K.这又是什么东西.这些都有在型号上体现出来吗.举一两个型号来看下吧.满意再
电阻一般来说有两个参数值一个是电阻值,一个是功率值.
电阻值就是当这个电阻被接入到电路当的时候,这个电阻的阻值.一般都是明确标出来得.电阻的单位是欧姆 1000欧=1k欧 1000k欧=1m欧在电路中严格遵循欧姆定律的规律.
另外一个值就是功率,这是一个很容易被人们忽略的问题,因为一般的低功率模拟电路或者数字电路当中的电流通常非常的小,所以电阻的作用一般都是用来分压的,因为电流相当的小,所以根本不用考虑功率的问题.而在实验物理或者大功率电路当中经常需要那种大功率的放电电阻,这样的电阻本身就是个大的用电器,用来把电能量转化成热能,这个时候就要考虑电阻的功率了,电阻的功率是指电阻的最大放电功率,比如一个1000w 的放电电阻,表示他的最大转换功率就是1000w 如果超过了这个功率,那么很容易烧毁.
所以说你说的那个四分之一瓦,就是电阻两个基本参数当中的一个而已.
再说偏差,电阻在出厂的时候其真正的电阻值其实并不跟他标签上标明的数值完全一样,只要是产品都会有误差,就是你所说的偏差,根据电阻的用途不同对电阻的偏差大小也不同,比如一般的功率电路当中的电阻误差大点小点都无所谓,但是比如航天飞机,电脑cpu之类的高精度设备当中的电阻就要求精度相当的高,比如他说你的电阻的偏差级别是k的话那么他标明是500k的电阻的真实电阻上下也就相差几k左右.
具体的电阻符号参数你可以看看这些连接
http://wiki.keyin.cn/index.php?title=%E7%94%B5%E9%98%BB%E5%99%A8#.E9.98.BB.E5.80.BC.E5.92.8C.E8.AF.AF.E5.B7.AE.E7.9A.84.E6.A0.87.E6.B3.A8.E6.96.B9.E6.B3.95

瓦特是功率单位，你说的具体点！

是电阻.四分之一是这个电阻在电路所承受的功率.就是其在电路通过的电流与两端电压之积的功率.
M和K是电阻的单位.
1K=1000欧.1M=1000K
在电路图中一般都标示着.
如5M 4.7K 2/1W 8/1W等

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晕瓦是功率单位啊 M10的6次方 K是10的3次方
总之不知所云

四分之一瓦指的是电阻的额定功率，超过这个功率很多的话，电阻会烧掉。M是10的6次方，K是10的3次方，即1M欧姆＝1000000欧姆，1K欧姆＝1000欧姆。不是指误差来着。

瓦是功率的单位！！！！在国际单位制中电容的单位是法拉，简称法用（F）表示。当导体带电量为1库（C）时，如果他它的电势是1伏(V)，则其电容就是一法（F）,即1F=1C/1V. 通常见到电容标的都是微法（uF）。即，1法拉=10^6微法
至于（0603N470K251LG与这个WF06M625KTL）可能是产品的系列号，你可以参阅该产品的说明书或到该公司的...

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电路图识别之磁珠和电感的区别篇
可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：
磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。
电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。
电阻器识别电阻
电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：
色别第一位色环
（电阻值的第一位）第二位色环
（电阻值的第二位）第三位色环
（乘10的倍数）第四位色环
（表误差）
棕
1
1
10
--
红 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黄 4 4 10000 --
绿 5 5 100000 --
蓝 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 0.1 +-0.05
银 -- -- 0.01 +-0.1
无色 -- -- -- +-0.2
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用***表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可*性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的
电容的基础知识
电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
电容的外形
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。有*的数值，只限电解电容用。
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。
基础知识之上下拉电阻:
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。
常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
6. 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。
7.还有......

电路图中Vcc和Vdd的解释
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.

IC定义
IC ＝ Integrated circuit
集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。

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