当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/03 17:33:57
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小

当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小
当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小

当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小
温度升高时,电子共有化运动加剧,能级分裂加剧,因些允带变宽,禁带变窄.电子更容易从价带跃到导带,所以温度升高,电子空穴对增多,即电子空穴浓度增加,即本征载流子浓度增加.

首先要明确一点,对于本征半导体而言,电子和空穴是成对产生的,所以电子浓度和空穴浓度是相等的。

载流子的浓度是和Nc、Nv成正比,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)

所以对于一定的半导体材料,其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加。

当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度:A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小 本征半导体温度升高后两种载流子浓度是否仍然相等? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗? 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 为什么 半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征 一道半导体物理的题温度对过半导体剩载流子的寿命有什么影响?答案是在进入本征激发占主导的温度以前,随温度升高,寿命增加.我想问问为什么? 为什么说半导体中载流子的浓度不变呢? 半导体中载流子浓度由什么决定? 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 当温度升高时半导体二极管的IR将? 掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系本征半导体掺杂后变成掺杂半导体后n0p0=ni2还成立吗?如果变成n型,p0会变少变成少数载流子,那成对出现的本征载流子ni为什么不等于p0? 半导体中载流子的2种运动 在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______ 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系