P型硅怎么形成pn结

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/06 02:23:34
P型硅怎么形成pn结

P型硅怎么形成pn结
P型硅怎么形成pn结

P型硅怎么形成pn结
在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡.
  在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性.
  PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.

P型硅怎么形成pn结 怎样在p型半导体上形成pn结 半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体?P型硅中是怎么形成pn结的?我主要纠结在,p型硅中是怎么形成pn结的,我比较纳闷的是,如果第一个问题成立,那p型硅中另外一种半 若将一块N型半导体和一块P型半导体相“接触”,能够形成PN结吗?既然你说不是PN结,为什么是二极管呢?二极管不是对PN结进行封装的产品吗? 二极管p型区与导线连接会不会有电子与空穴结合希望大家能帮我.晶体硅掺入了两种杂质后形成PN结,也就形成了二极管,PN结是多数载流子结合形成的(这是对的吧),我想问下导体中有自由电 PN结形成要多久? PN结的形成原理? PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是:当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但 PN结有没要求P型或N型半导体电阻率(或载流子浓度)等要匹配啊?比如Si形成的PN结,有没要求怎样的(例如电阻率相当)P-Si或N-Si 结合才能得到性能最好的PN结啊?还是没要求,只要P、N型就可以 PN结怎么理解 简单的把一个p型半导体和一个n型半导体接触在一起?形成pn结(能够,不能,不一定)选什么? 具有非常好的光学平面的n型半导体和p型半导体粘接一起为什么不能形成pn结? P、N型材料互联形成PN结,P型或N型和金属相联处也有浓度差扩散电流和漂移电流,可以形成类似电荷区吗? 我想知道为什么pn结的内建电场无法直接测量pn结的内建电场无法直接测量,这是肯定的,除了两端接触处形成肖特基势垒外,还有一个原因我不知道怎么表述.从pn结的电势来看,既然n区的电势比p 说明PN结形成的原理 什么是PN结,它是怎样形成的? 电路中PN结的压降,怎么形成的压降~压降~ 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接